[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制作方法，其在衬底上制作深阱区，在深阱区上表面采用两块光刻版制作出具有两类导电类型的第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区，在深阱区中制作有连接第一阱区和第三阱区并包围第二阱区的埋层，第一阱区和第四阱区及其中的掺杂区构成源漏，形成DEMOS器件，第一阱区、埋层、第三阱区为第二导电类型掺杂，与被其分隔的第一导电类型掺杂的第二阱区和深阱区构成寄生JFET器件，寄生JFET器件可提升DEMOS器件的耐压，实现DEMOS器件的更高耐压的扩展，其中，制作第一阱区至第四阱区的步骤仅采用两块光刻版，与传统BCD工艺相比无额外光刻版的使用，在不增加成本的情况下实现DEMOS器件的更高耐压的扩展。