[发明专利]一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法在审
| 申请号： | 202010516396.0 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111883610A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 高文龙 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片正面开槽；去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；经过退火炉形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；硅片通过背面激光开槽；背面电极印刷；铝背场印刷；正面电极印刷以及高温快速烧结。该制备方法能提高电池片的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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