[发明专利]一种多晶SiC—B4有效

专利信息
申请号: 202010516760.3 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111592356B 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 欧阳晓平;王海阔;欧阳潇;谈仲军 申请(专利权)人: 欧阳晓平
主分类号: C04B35/52 分类号: C04B35/52;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 郑州明德知识产权代理事务所(普通合伙) 41152 代理人: 张献伟
地址: 450001 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料及其制备方法,属于无机非金属材料领域,所述方法以B4C多晶块体或粉末、SiC多晶块体或粉末、金刚石粉末为原料,通过对原料进行净化处理,预压成型,预压成型的原料用金属包裹体包裹,装配高压组装单元,放置于超高压设备中,在600‑2300℃,1‑25 GPa高温高压条件下烧结,制得多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料;利用本发明所制备的SiC—B4C—金刚石三层复合块体材料具有多晶金刚石、多晶B4C与多晶SiC三层结构,金刚石层、B4C层与SiC层经高温高压烧结在一起,三层多晶体结合紧密,晶粒大小分布均匀,致密度高;该多晶SiC—B4C—金刚石三层复合材料既具备金刚石层高硬度高断裂韧性的特点,又结合了B4C密度小以及SiC成本低的优点。
搜索关键词: 一种 多晶 sic base sub
【主权项】:
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