[发明专利]一种库区消落带植物种植方法有效
申请号: | 202010517013.1 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN113767798B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 金卫锋;张建和 | 申请(专利权)人: | 杭州元成规划设计集团有限公司 |
主分类号: | A01G17/00 | 分类号: | A01G17/00;A01G22/00;A01G24/20;A01G13/02;A01G24/22;A01G24/10;A01C21/00;E02B3/12;C12N1/20;C12N1/14;C12R1/66;C12R1/645;C12R1/07;C12R1/01 |
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地址: | 310016 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及种植方法技术领域,尤其涉及一种库区消落带植物种植方法。所述方法包括:1)植前对消落带进行预处理,并挖设植生穴;2)在植生穴内种植植株,在植生穴周围铺设防冲刷型护坡构件;3)在植生穴内铺设深层营养土,在深层营养土表面施加菌剂、并铺设苔藓类植物或藻类植物,再进一步铺设浅层营养土,最后利用生态砼填平植生穴。本发明方法培育的植株根系发达,固土效果十分稳定;护坡结构配合植生穴的分布方式使得水流冲刷所带来的负面影响被大幅度抵消;通过多层土配合协调植株生长效果良好;人造形成菌群环境使得植株形成更发达的根系并提高根系的固土效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 库区 消落带 植物 种植 方法 | ||
【主权项】:
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