[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置有效
| 申请号： | 202010517129.5 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111678928B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宗炼;王亚东;彭冰川;熊柯迪;柳祚钺 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20;G01N3/40;G01N21/55 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。所述半导体结构的分析方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同；检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面；判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。本发明实现了对具有相同材料、不同致密度的膜层之间界面的定位；并且，实现了对缺陷的定位，提高了半导体结构分析的准确度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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