[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物在审
| 申请号： | 202010517239.1 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN111769038A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料(例如，氧化硅或氮化硅)的暴露层和包括第二材料(例如硅或碳)的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。之后，蚀刻第一材料的未保护部分，而不去除间隔物。接下来，蚀刻下层，并且去除间隔物。含锡颗粒可以通过将其转化成挥发性氢化锡而从处理室中去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 中的 氧化 薄膜 间隔 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
