[发明专利]氧化铝陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010517344.5 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111807823B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 甘志俭;程银兵;杨斌;庄志杰 | 申请（专利权）人： | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/111 | 分类号： | C04B35/111;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;C04B35/64;B33Y70/10;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 隆前进 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铝陶瓷及其制备方法，该方法包括如下步骤：将氧化铝粉制成浆料，得到粒径D90小于或等于0.8μm的氧化铝浆料；将氧化铝浆料干燥，得到氧化铝细粉；氧化铝粉中氧化铝的含量≥99wt％；将光敏树脂、第一分散剂和润滑剂加热融化后，加入氧化铝细粉和紫外光吸收剂，混合均匀后进行抽真空处理，得到氧化铝光固化浆料；将氧化铝光固化浆料经3D打印成型，得到氧化铝陶瓷坯体；将氧化铝陶瓷坯体经过常压脱脂烧结，得到氧化铝陶瓷；常压脱脂烧结的条件为：以(0.2～1)℃/min的速率升温至550℃～650℃，保温6h～10h，然后以(1～5)℃/min的速率升温至1200℃～1400℃，保温5h～8h。采用该方法制得的氧化铝陶瓷的致密度高、机械性能好，能够满足半导体设备对陶瓷材料的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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