[发明专利]形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法在审
| 申请号： | 202010517797.8 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN112802851A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 卞惠炫;权日荣;宾真昈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/02;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法。一种制造非易失性存储器装置的方法包括在具有源极层的半导体基板上形成栅极绝缘层。该方法还包括在栅极绝缘层上形成具有经缓冲处理的上表面的氮化硅层，其中，氮化硅层的经缓冲处理的上表面的硬度高于氮化硅层的硬度。方法还包括在氮化硅层的经缓冲处理的上表面上形成氧化硅层。方法附加地包括在氧化硅层上交替地形成附加的氮化硅层和附加的氧化硅层以形成层叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄层 方法 使用 制造 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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