[发明专利]硅基微同轴结构有效
| 申请号： | 202010519141.X | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111900521B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王胜福;李宏军;钱丽勋;申晓芳;杨志;董春辉;宋学峰;李丰;周名齐;周少波;付兴中;张俊杰;陈敬平;张堃;孙涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P3/00 | 分类号： | H01P3/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 许小荣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基微 同轴 结构 | ||
【主权项】：
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