[发明专利]一种利用构建离子对获得大应变小滞后的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010519389.6 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111620690A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 李伟力;曹文萍;费维栋 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种利用构建离子对获得大应变小滞后性的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法,它涉及无铅压电陶瓷领域。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明陶瓷制备:a)利用固相球磨法制备施主(Nb2O5)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.75Sr0.25Ti(1‑x)O3‑0.5xNb2O5陶瓷粉体;b)在850~950℃温度下预烧粉体;c)将粉末冷压成片,在1140℃‑1160℃温度下烧结成致密陶瓷。本发明通过在准同型相区的0.75BNT‑0.25ST陶瓷进行施主掺杂,在陶瓷晶格内形成Ti3+‑Nb5+离子对,利用离子对形成偶极矩使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷,本发明应用于无铅铁电陶瓷领域。
搜索关键词: 一种 利用 构建 离子对 获得 变小 滞后 钛酸铋钠基 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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