[发明专利]一种垂直结构高电子迁移率晶体管结构及其制造方法在审
申请号: | 202010519526.6 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111863959A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 刘军林;吕全江 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体技术领域,特指一种垂直结构高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构自下而上依次包括:漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、位错调控结构、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极,在栅极电极正下方的高阻层内设有垂直导电通道,使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通,所述位错调控结构在位错线附近形成对其余区域的相对高阻,从而使AlGaN/GaN HEMT器件在承受高电压的状态下,漏电流不从位错线处大量通过,而是被均匀分配到整个HEMT器件截面内,使得击穿性能向GaN理论击穿强度靠近,提升AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 结构 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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