[发明专利]一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法在审
| 申请号： | 202010521190.7 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111763620A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 米彦;刘权;代璐健;吴晓;陈嘉诚 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C12M1/42 | 分类号： | C12M1/42;C12N15/87 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种靶向修饰的高导电纳米颗粒增强细胞电穿孔装置及方法；装置包括纳秒脉冲发生器和纳米电极。方法是通过纳米颗粒局部放大细胞周围的电场强度，从而增强脉冲电场诱导的细胞电穿孔效应，步骤为：1)确定目标细胞的类型，获取目标细胞的靶向配体；2)将表面具有目标细胞靶向配体方纳米电极与目标细胞接触或将纳米电极延伸入目标细胞；3)预设脉冲参数；4)高压直流电源对储能电容充电；5)充电结束后，FPGA模块基于预设的脉冲参数控制MOSFET开关组的通断，进而控制纳米电极输出的脉冲参数；6)纳米电极利用脉冲对目标细胞进行穿孔。本发明能够在较低的脉冲电场强度作用下实现更高效的细胞电穿孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 靶向 修饰 导电 纳米 颗粒 增强 细胞 穿孔 装置 方法 | ||
【主权项】：
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