[发明专利]一种DRAM接口类型探测方法及存储介质有效
| 申请号： | 202010522066.2 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111857570B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 汤云平 | 申请（专利权）人： | 瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350003 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种DRAM接口类型探测方法及存储介质，其中方法包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。我们发现在实际应用中读指令延迟、写指令延迟与不同DRAM类型工作响应之间的关系，从而将其应用在接口类型探测中，通过上述方案，能够有效识别DRAM的接口类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 接口类型 探测 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
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