[发明专利]一种In2在审

专利信息
申请号: 202010522275.7 申请日: 2020-06-10
公开(公告)号: CN111883655A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 招瑜;余代者;魏爱香;刘俊;肖志明;余大清 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 李庆伟
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于半导体薄膜的新材料的技术领域,公开了一种In2S3薄膜的忆阻器件及其应用。所述忆阻器件是由二维In2S3纳米片在二维平面的水平和垂直方向堆叠而成,形成在水平方向的晶界;所述二维In2S3纳米片的厚度为0.6~100nm,长度为1~200μm。本发明In2S3薄膜的忆阻器件具有丰富的晶界和可调的电阻状态和高达105的开关比,通过设置栅极偏置电压和源漏输入脉冲参数,可有效地实现人工的突触可塑性及其在模拟突触的生物可塑性的功能,为丰富扩展二维材料中的忆阻现象功能提供了有效的实例证明。该In2S3薄膜的忆阻器件在模仿生物突触领域中可得到广泛应用。
搜索关键词: 一种 in base sub
【主权项】:
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