[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010523041.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782486A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈卓凡;金吉松;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一介质层以及位于第一介质层中的第一互连线；在第一互连线上形成与第一互连线的顶面相接触的牺牲柱；在牺牲柱的侧壁上形成第一扩散阻挡层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖第一扩散阻挡层的侧壁；在形成第二介质层后，去除牺牲柱，形成由第一扩散阻挡层与第一互连线的顶面围成的导电通孔；对导电通孔进行填充，形成位于导电通孔中的通孔互连结构，通孔互连结构与第一互连线直接接触。通孔互连结构能够与第一互连线直接接触，有利于减少通孔互连结构与第一互连线之间的接触电阻，进而有利于提高通孔互连结构与第一互连线之间的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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