[发明专利]一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法有效
| 申请号： | 202010523344.6 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111575666B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张伟;姜智艺;鲍建秋;胡芳仁;张雪花 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；(3)对腔室进行抽真空处理；(4)对硅基片进行加热处理；(5)向腔室通入氩气和氧气；(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜，无需引入种子层，利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成，具有结晶性良好，工艺简便，易于工业化的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 222 强织构 ito 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010523344.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
