[发明专利]二氧化钨纳米线阵列/锡酸锌纳米带负极材料的制备方法及产品和应用在审
| 申请号： | 202010523476.9 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111675241A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;吴晓燕;林琳;王敬锋;王岩岩;徐少洪;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;C01G19/00;H01M4/48;H01M4/485;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二氧化钨纳米线阵列/锡酸锌纳米带负极材料的制备方法及其产品和应用，将二氧化锌、二氧化锡和碱金属碱溶液混合，磁力搅拌后转入水热釜中反应后，清洗、干燥、煅烧得锡酸锌纳米带；将钨酸钠和稀酸混合得前驱体溶液，以锡酸锌纳米带作为基底放入所述的前驱体溶液中，转入反应釜中反应后，清洗、干燥得到二氧化钨纳米线阵列/锡酸锌纳米带。本发明制备工艺相对简单，易操作。本发明制备的产品二氧化钛纳米线阵列和锡酸锌纳米带具有较大的比表面积和电导率，有利于进一步提高材料的电化学性能。本发明产品二氧化钨纳米线阵列/锡酸锌纳米带首次放电比容量可达1580 mAh/g，具有较高的放电比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨 纳米 阵列 锡酸锌 负极 材料 制备 方法 产品 应用 | ||
【主权项】：
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