[发明专利]一种太赫兹异构集成芯片

摘要

本申请公开了一种太赫兹异构集成芯片，包括：第一锗化硅基片，T型功率合成电路，两个对称设置的待合成电路；待合成电路包括通过微带线依次连接的电容、电感、第一滤波器、倍频二极管，且电感嵌于第一锗化硅基片中，倍频二极管的一个焊盘通过微带线与T型功率合成电路的输入端相连，倍频二极管的另一个焊盘接地。本申请芯片中的基片为第一锗化硅基片，是一种半导体工艺基片，具有多层层叠的结构，电感嵌于第一锗化硅基片内部，从而有效减小第一锗化硅基片占用面积，缩小太赫兹异构集成芯片的体积；另外，由于第一锗化硅基片为半导体工艺基片，配合使用的微带线可低至几微米，同样可以降低占用面积，提高太赫兹异构集成芯片的集成度。