[发明专利]双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010524581.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111710725A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 周星宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括：衬底基板；依次设置在所述衬底基板上的底栅电极、底栅绝缘层、金属氧化物半导体层、钝化层、设置在所述钝化层上的源极、漏极、第一顶栅电极和第二顶栅电极；平坦层以及像素电极层；所述源极、所述漏极、所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极位于同一层，所述第二顶栅电极通过底栅电极接触孔与所述底栅电极相连接。本发明通过将顶栅电极和源漏电极用同一层金属制作，顶栅和底栅讯号联通，形成双栅结构器件，工艺简单，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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