[发明专利]半导体激光器的缺陷识别方法有效
| 申请号： | 202010524782.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111678961B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李德尧;温鹏雁;黄思溢;张立群;刘建平;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N27/24 | 分类号： | G01N27/24 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。本发明采用半导体激光器的电学特性来进行半导体激光器的缺陷识别，无需采用具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后来进行缺陷识别，从而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷，进而不会对半导体激光器造成永久性损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 缺陷 识别 方法 | ||
【主权项】：
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