[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010525162.2 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782602A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;肖杏宇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一纳米结构和第二纳米结构，所述第一纳米结构和第二纳米结构之间具有第一开口；位于部分第一开口内的隔离结构；位于衬底上的介质层，所述介质层位于部分第一开口内、部分第一纳米结构侧壁和部分第二纳米结构侧壁，所述介质层内具有第二开口，所述第二开口的延伸方向垂直于所述第一开口的延伸方向，所述第二开口暴露出所述隔离结构。所述半导体结构的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010525162.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
