[发明专利]一种石墨烯/半导体内建电场调控的PN结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010525788.3 申请日: 2020-06-10
公开(公告)号: CN111755534B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 林时胜;姚天易;陆阳华;延燕飞;杨尊山 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/074;H01L31/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种石墨烯/半导体内建电场调控的PN结太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池自下而上依次包括:背面电极、半导体PN结衬底、石墨烯、正面电极和外部电场调控层,所述外部电场调控层与石墨烯接触。本发明的太阳能电池利用石墨烯/半导体异质结具有强内建电场的特点,利用此强内建电场加速PN结中的光生载流子分离,减少载流子在半导体PN结界面处的复合从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。且器件在制作完成之后依然可以通过外部电场调控进行性能调节。本发明的石墨烯/半导体异质内建电场调控的PN结太阳能电池具有性能可调、转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。
搜索关键词: 一种 石墨 半导体 电场 调控 pn 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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