[发明专利]一种制备多孔单晶金刚石的方法在审
| 申请号： | 202010526340.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111809227A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 贺端威;王俊普 | 申请（专利权）人： | 四川大学;广东正信硬质材料技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/12 | 分类号： | C30B1/12;C30B1/10;C30B29/04;C30B29/60;C30B30/06;C23F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供的制备多孔单晶金刚石的方法，将金刚石晶种作为生长基体，金刚石粉晶和金属触媒粉的混合物包裹金刚石晶种后密封成型，在处于金刚石稳定区的高温高压条件下，金刚石粉晶在熔态触媒环境中通过调整晶向，以金刚石晶种作为基体进行定向附着生长，金属触媒降低晶体生长所需的温度与压力条件，为金刚石粉晶的定向附着提供合适的环境，增加金刚石的生长速率。随着金刚石晶种的生长，由于生长速率快、金刚石粉晶相互之间及与晶种基体附着贴合处存在空隙和其他缺陷，晶种长大后，通过酸洗和振动撞击除去未参与生长的金刚石粉晶与金属触媒即得到多孔单晶金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多孔 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
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