[发明专利]用于在背照式高动态范围图像传感器像素中提高全局快门效率的方法和电路在审
申请号: | 202010527357.0 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN112216709A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | D·杨;S·韦利奇科;B·P·班纳彻沃兹;T·格蒂斯;M·M·拉曼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355;H04N5/369 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于在背照式高动态范围图像传感器像素中提高全局快门效率的方法和电路。本发明提供了一种图像传感器,该图像传感器可包括图像传感器像素阵列。阵列中的每个像素可以是全局快门像素,该全局快门像素具有被配置为捕获场景信息的第一电荷存储节点和被配置为捕获由于杂散光和暗噪声信号而产生的背景信息的第二电荷存储节点。该第一电荷存储节点和/或该第二电荷存储节点可各自设有溢出电荷存储装置,以提供高动态范围(HDR)功能。可以从该场景信息中减去该背景信息以抵消期望的背景信号贡献并获得具有高全局快门效率的HDR信号。 | ||
搜索关键词: | 用于 背照式高 动态 范围 图像传感器 像素 提高 全局 快门 效率 方法 电路 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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