[发明专利]压力传感器、压力传感装置及其制备方法有效
| 申请号： | 202010527954.3 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111811700B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;陈苏杰;唐伟 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压力传感器、压力传感装置及其制备方法。所述压力传感器包括：衬底；薄膜晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；压力敏感薄膜，位于所述半导体层表面；下触发电极，位于所述压力敏感薄膜背离所述半导体层的表面；隔离柱，位于所述下触发电极背离所述压力敏感薄膜的表面；柔性防静电薄膜，位于所述隔离柱上方；上触发电极，位于所述柔性防静电薄膜朝向所述下触发电极的表面。由本发明提供的压力传感器组成的压力传感装置能够提高读取速度，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 压力 传感 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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