[发明专利]LDMOS的制造方法在审
| 申请号： | 202010527998.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111785617A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/762;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS的制造方法，包括：步骤一、提供具有第二导电类型的半导体衬底，采用第一块掩模版进行第一次光刻将USTI的形成区域打开；步骤二、进行第一导电类型离子注入以形成第一注入区；步骤三、对半导体衬底进行刻蚀形成超浅沟槽；步骤四、采用第二块掩模版进行第二次光刻将STI的形成区域打开；步骤五、对半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽，浅沟槽的深度大于超浅沟槽的形成深度；步骤六、在超浅沟槽和浅沟槽中填充场氧化层；步骤七、对所述第一注入区进行热处理使第一注入区扩散形成漂移区，漂移区将USTI包覆。本发明能使USTI和漂移区的离子注入共用同一块掩模版，故能降低成本，同时使器件的性能得到保持。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
