[发明专利]基于入射光子到达时间的识别、成像、测序法及存储介质在审
| 申请号： | 202010528184.4 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111710687A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·法夫;大卫·布瓦韦尔 | 申请（专利权）人： | 宽腾矽公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148;C12Q1/6869;G01N21/64;G01S7/486 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;王晓璐 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路包括光检测区域，其被配置成接收入射光子。所述光检测区域被配置成响应于所述入射光子产生多个电荷载流子。集成电路还包括至少一个电荷载流子存储区域。所述集成电路还包括电荷载流子分离结构，其被配置成基于产生电荷载流子的时间将所述多个电荷载流子中的所述电荷载流子选择性地指引到所述至少一个电荷载流子存储区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 入射 光子 到达 时间 识别 成像 测序法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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