[发明专利]一种高性能三结砷化镓太阳电池

摘要

本发明公开了一种高性能三结砷化镓太阳电池，包括Ge衬底，采用MOCVD技术在所述Ge衬底上外延生长Ge底电池、第一隧穿结、GaInAs中电池、第二隧穿结和GaInP顶电池；其中，在所述GaInP顶电池的发射区上沉积暂态金属氧化物TMO，得到TMO窗口层，该TMO窗口层的禁带宽度大于3.0eV，其暂态金属氧化物能够与GaInP顶电池的金属上电极形成良好的欧姆接触，其折射系数通过在1.4‑2.0的范围内变化调整，能够有效起到减反射膜的作用，并且通过优化暂态金属氧化物的光电性能，可以提高电池的短路电流和光电转换效率，同时也可以简化电池的结构，减少芯片工艺步奏，有效降低成本。