[发明专利]实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开一种实现空穴局部钝化接触的方法，该方法可通过采用印刷硼浆或打印硼墨水实现选择性硼掺杂，也可通过选择性的硼离子注入来实现选择性硼掺杂，形成的局部掺硼多晶硅硼表面浓度不低于7E19cm‑3；然后通过碱溶液化学刻蚀将无局部硼掺杂的多晶硅或非晶硅薄膜区域刻蚀掉，再对局部掺硼多晶硅区域进行金属化，从而形成所述空穴局部钝化接触结构。进一步，本发明还公开一种具有空穴局部钝化接触结构的晶体硅太阳能电池和相应的电池制备方法。本发明给出的空穴局部钝化接触的制备方法和相应晶体硅太阳能电池的制备方法，工艺简洁，成本较低，具有良好的工业化潜力。