[发明专利]一种双面晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开一种双面晶体硅太阳电池制备方法，先在硅片上制备硼掺杂面所需表面形貌，然后进行硼掺杂，利用硼掺杂过程表面生成的氧化层作为掩膜制备磷掺杂面所需表面形貌并进行磷掺杂；通过氢氟酸水上漂去除硅片边沿的氧化层；通过边沿抛光对硅片进行边沿隔离，利用硼掺杂面和磷掺杂面的氧化层作为掩膜保护硅片两面掺杂层不被破坏；最后在硅片两面制作钝化层和金属电极。进一步，本发明还公开一种通过这种方法制得的双面晶体硅太阳电池。该方法工艺过程简单，制作成本低，可以匹配不同类型的电池衬底和电池结构，并具有优良的边沿隔离效果，能大大降低双面晶体硅太阳电池的边沿漏电。