[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010528987.X | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112086359A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 林育樟;张添舜;陈思颖;聂俊峰;薛森鸿;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置的制造方法。在一半导体基底上形成一虚置栅极。在此半导体基底的上方形成一层间介电质。注入一掺杂物于此层间介电质中。移除前述虚置栅极，并对前述层间介电质进行退火。所述注入与所述退火可以通过减少栅极介电质的厚度而致使通道阻值达到改善，以及可扩大金属栅极的临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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