[发明专利]一种高铌低密度难熔多主元合金及其真空滴铸方法有效
| 申请号： | 202010529714.7 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111636026B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫旺;白朱成;姚俊卿;蒋文明;樊自田 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/03;B22D23/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料相关技术领域，其公开了高铌低密度难熔多主元合金及其真空滴铸方法，所述多主元合金的组成元素包括铌、铝、钛及钒，所述铌、所述铝、所述钛及所述钒的原子之比为(35～45)：(18.33～21.67)：(18.33～21.67)：(18.33～21.67)，且所述多主元合金的相结构为单一的BCC结构。该多主元合金的组成元素中，铌为主要难熔元素，并起主要作用，高铌含量使得合金具有难熔和高韧特性，适中的铝含量有利于保持良好的抗氧化性和低密度，适中的钛含量有利于保持良好的抗氧化性和一定的韧性；且采用滴铸方法，有效弥补了传统吸铸技术由于难熔多主元合金粘度较大而难以制备出一定尺寸小型铸锭的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高铌低 密度 难熔多主元 合金 及其 真空 方法 | ||
【主权项】：
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