[发明专利]低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法有效
| 申请号： | 202010530384.3 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111834344B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;宋昆璐;张进成;刘俊伟;郝璐;周弘;赵胜雷;张苇杭;段小玲;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01P3/00;H01P11/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法，该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底；三族氮化物外延层，设置在硅衬底的上表面；高频信号金属电极，设置在三族氮化物外延层的上表面；接地金属电极，设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面，其中，在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔，内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗，提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率，满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 损耗 氮化 微波 毫米波 传输线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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