[发明专利]近紫外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010530603.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111883623B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种近紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。电子阻挡层中AlN子层、第一AlInGaN子层、第二AlInGaN子层中的Al的组分含量依次降低。第一AlInGaN子层中的Al的组分含量与第二AlInGaN子层中的Al的组分含量比值，与第一AlInGaN子层中的In的组分含量与第二AlInGaN子层中的In的组分含量比值相等。第二AlInGaN子层中的Mg的掺杂浓度与第一AlInGaN子层中的Mg的掺杂浓度比值，与第一AlInGaN子层中的Al的组分含量与第二AlInGaN子层中的Al的组分含量比值相等。大量增加进入发光层的空穴的数量，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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