[发明专利]一种形成金属凸块的方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202010531380.7 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111640676A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 戴颖;李骏 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种形成金属凸块的方法以及半导体器件。本申请公开的形成金属凸块的方法先在在晶圆正面形成绝缘层，绝缘层对应焊盘设置有贯通的第一开口，第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于其远离焊盘位置处的尺寸，且第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸；然后在第一开口内形成金属凸块；再去除未被金属凸块在晶圆上的正投影覆盖的绝缘层。在第一开口内形成的金属凸块靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸，也小于其远离焊盘位置处的尺寸，使得金属凸块的体积小于现有技术中两端尺寸基本一致的金属凸块的体积，从而能够在不减小金属凸块电连接接触面积的前提下减少金属的使用量，在不影响半导体器件可靠性的前提下节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 金属 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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