[发明专利]氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法在审
| 申请号： | 202010531847.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111745245A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周孔礼 | 申请（专利权）人： | 山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼 |
| 主分类号： | B23K1/008 | 分类号： | B23K1/008;B23K3/08;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人： | 胡国英 |
| 地址： | 046021 山西省长治市高新区漳泽工业园*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法，包括如下步骤：第一步，将氮化硅陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氮化硅陶瓷上的围坝的形状适配；第二步，将所述氮化硅陶瓷基板和所述围坝放入到共晶焊接装置中；第三步，在所述氮化硅陶瓷基板的金属线路涂层上放置合金焊料，再将所述围坝隔着所述合金焊料印刷或放置到所述氮化硅陶瓷基板上，所述围坝与所述金属线路涂层的形状对应；第四步，启动所述共晶焊接装置进行焊接，且焊接的温度为150℃‑1500℃；第五步，焊接完成。本发明针对氮化硅陶瓷的围坝焊接采用共晶焊接的方式进行焊接，相对于现有技术中采用磁控溅射，更加方便操作，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 基板上围坝 焊接 方法 | ||
【主权项】：
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