[发明专利]一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010532613.5 申请日: 2020-06-12
公开(公告)号: CN111876731B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 陈益敏;毛缘恩;王国祥;侯亚飞;沈祥 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;H01L35/16;H01L35/34
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 何仲
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法,特点是该相变薄膜材料为钙、锑、碲三种元素组成的混合物,其化学结构式为Cax(Sb2Te3)100‑x,其中0x17.6 at%,通过磁控溅射镀膜系统,采用双靶共溅射方式制备得到Cax(Sb2Te3)100‑x相变存储薄膜材料,优点是该Ca‑Sb2Te3相变薄膜具有较高的结晶温度、较大的析晶活化能、较好的十年数据保持能力,该相变薄膜具有较高的结晶温度,较大的析晶活化能,较好的十年数据保持力,且电阻漂移系数较低,从而改善相变材料在非晶态下的电阻漂移现象。
搜索关键词: 一种 ca 掺杂 碲化锑超稳 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学,未经宁波大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010532613.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top