[发明专利]亚纳米级高精度光刻写场拼接方法、所用光刻机系统、晶圆及电子束漂移的测定方法在审
| 申请号： | 202010533718.2 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111983899A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周向前;伊沃·朗格诺 | 申请（专利权）人： | 百及纳米科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人： | 王德祥 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种亚纳米级高精度光刻写场拼接方法、所用光刻机系统、晶圆及电子束漂移的测定方法。在待光刻的晶圆表面上涂有光敏胶层。光敏胶层表面曝光后，其曝光图形会产生微小的凹凸结构。用纳米触点传感器可以识别这些凹凸结构图形并用其作为原位对准坐标标识。通过对曝光前后，晶圆移动前后，写场的位置坐标比较，计算出拼接的偏差，以负反馈控制方式进行晶圆的高精度光刻拼接，克服了现有非原位、远离写场、盲人式开环光刻拼接技术受晶圆工作台机械运动精度、电子束长时间漂移的影响而拼接精度差的缺陷，突破了现有技术严重依赖光刻机系统晶圆工作台数控精度的瓶颈，提供了一种新型的可达亚纳米级精度的光刻写场拼接方法、电子束漂移测定方法、光刻机系统及晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 高精度 刻写 拼接 方法 所用 光刻 系统 电子束 漂移 测定 | ||
【主权项】：
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