[发明专利]碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010534386.X | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN111799324A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;西口太郎;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02;H01L21/306;H01L29/04;H01L29/34;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;C23C16/32;C23C16/56;C30B25/02;C30B25/20;C30B2 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法。所述碳化硅外延基板包含：碳化硅外延基板，其包含：碳化硅单晶基板；和在所述碳化硅单晶基板上形成的外延层；所述碳化硅单晶基板具有4H‑SiC的多型，所述外延层的表面中的算术平均粗糙度为0.1nm以下，在所述表面中，胡萝卜状缺陷的缺陷密度为0.1个/cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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