[发明专利]一种自对准的GaN肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010534613.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816696B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张凯;代鲲鹏;陈韬;牛斌;朱广润;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自对准的GaN肖特基二极管及其制造方法，属于半导体器件制备技术领域。该二极管包括衬底、n+GaN层、n‑GaN层、T型阳极和空气桥；所述衬底上方设有隔离槽，所述n+GaN层上方设有阴极，所述n‑GaN层与所述阴极之间还设有间隔区，所述T型阳极位于所述n‑GaN层的正上方，所述n‑GaN层与所述T型阳极的直径相等。本发明提出的一种自对准GaN肖特基二极管能够极大地缩短阴极和阳极的间距，降低n+GaN层的串联电阻，提高二极管的截止频率和功率等性能，且制备工艺与现有平面结构肖特基二极管兼容度高，在微波毫米波整流器与限幅器、太赫兹倍频器等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 gan 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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