[发明专利]一种钛箔化学减薄方法有效
| 申请号： | 202010534880.6 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111785643B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 欧阳鹏;贺贤汉;王斌;葛荘;孙泉;张恩荣 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C23F1/04 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钛箔化学减薄方法，包括如下步骤：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min‑10min后烘干取出；2)氮化工艺：真空炉抽真空后通入氮气，氮化钛箔表面，氮化温度控制在500℃‑650℃，时间控制在90min‑150min，氮气分压控制在800Pa‑1200Pa，生成金黄色的氮化钛层；3)化学铣切：将经步骤2)处理后的钛箔浸没在化学铣切液中1min‑4min中进行铣切，将金黄色的氮化钛层铣除，该化学铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，余量为纯水；4)表面清洗：铣切后的钛箔依次在丙酮、纯水中浸洗共计5min‑15min。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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