[发明专利]一种具有多沟槽的LIGBT器件有效
| 申请号： | 202010535106.7 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111640786B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;王志明;程然;蒲小庆;胡汶金;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀改变第二导电类型体区形貌，实现体区均匀分布的掺杂，可以改善第一导电类型漂移区与第二导电类型体区接触的结的形貌，以此来优化漂移区与体区接触区域的电场分布，提高器件的反向阻断电压以及过电流能力，同时也可以减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 ligbt 器件 | ||
【主权项】：
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