[发明专利]加工检测一体化硅电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010535417.3 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111805024B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇;刘国栋;钟昊;佟浩;谈齐峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B23H3/04 | 分类号： | B23H3/04;B23H3/06;G01K7/22;G01R27/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种加工检测一体化硅电极及其制备方法。所述硅电极包括重掺杂硅基体、绝缘层、隔离层、温度检测单元和电导率检测单元；重掺杂硅基体包括电极夹持部分和电极加工部分；所述电极夹持部分远离电极加工部分的一端的正面设置有电极供电导电端、温度信号引出端和电导率信号引出端；电极加工部分的正面表面设置有隔离层，并延伸至电极夹持部分的表面上；温度传感单元和电导率传感单元设置在电极加工部分靠近电极端面一端的表面隔离层上。该硅电极在进行电解加工的同时，还能检测间隙内电解液的电导率或者同时检测间隙内电解液的温度和电导率，用以反映加工间隙、电解产物排出情况等加工状态。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 检测 一体化 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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