[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010535425.8 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111697112B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 姚招泉 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，所述深紫外发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n‑AlGaN接触层、V‑pits层、量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、p‑AlGaN限制层和p‑GaN接触层。本发明的深紫外发光二极管包括V‑pits层，可以有效屏蔽位错、消除全反射和波导效应，优化设计了量子阱有源区，可以调控发光模式的比例，进而提高深紫外LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 aln pss 复合 衬底 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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