[发明专利]存储器单元在审
| 申请号： | 202010536125.1 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112331764A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 莫里西欧·曼弗里尼;马克斯·乔汉斯·亨利卡斯·凡戴尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 各种本公开实施例涉及一种存储器单元，其包括一第一铁磁体层与一第二铁磁体层。一底电极导孔在一基底上，一底电极在上述底电极导孔上，一数据存储层在上述底电极上。上述第一铁磁体层在上述数据存储层上且具有指向一第一方向的一第一磁化作用。上述第二铁磁体层在上述底电极导孔上且具有指向一第二方向的一第二磁化作用，上述第二方向直交于上述第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 | ||
【主权项】：
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