[发明专利]一种双倍电流IGBT封装结构及其方法有效
| 申请号： | 202010536799.1 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111653531B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;朱文辉;王新强;潘庆波 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473;H01L29/739 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 马尚伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双倍电流IGBT封装结构及其方法，包括基板，基板的顶部开设有凹槽，凹槽的内部自上而下依次设置有导热层和隔热层，导热层的的顶部设置有IGBT模块，IGBT模块的一侧设置有电极，隔热层将IGBT模块与基板隔离开，IGBT模块周围为高温区，基板底部为低温区，第一导热管和第二导热管通过导热层将IGBT模块产生的热量通过内部填充的液态金属冷却剂传递到基板的底部，基板的底部与散热块形成较大热差，散热块将基板底部的热量传递到散热片，散热管增大散热片与空气的接触面积，散热片将热量交换到温度较低的空气中，从而使双倍电流IGBT封装结构具有更好的散热效果，使IGBT模块能够承受更大的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双倍 电流 igbt 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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