[发明专利]晶圆边缘处理方法有效
申请号: | 202010538069.5 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111564362B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 宋保英;谢岩 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/18 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种晶圆边缘处理方法,包括:对所述第一晶圆的边缘区域修边,修边后的所述第一晶圆呈凸台状,包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部。形成保护层,所述保护层至少覆盖所述凸起部的上表面边缘区域和所述凸起部的侧面。形成图形化的光阻层,所述图形化的光阻层与所述保护层接触共同覆盖所述凸起部的上表面。所述保护层保护所述凸起部的上表面边缘区域不受后续刻蚀开孔工艺的损伤。第一晶圆可与另一晶圆很好的键合,提高键合晶圆边缘的良率。 | ||
搜索关键词: | 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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