[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010542757.9 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111863938A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;罗江流;王磊;利健;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 宋傲男 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法，该氮化镓基肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层和肖特基金属电极，还包括：氧化镓绝缘层，设置于所述n型氮化镓层背离所述衬底一侧的两端部边缘处，并至少部分地被所述肖特基金属电极覆盖。本发明提供的氮化镓基肖特基二极管器件结构简单，并且氧化镓具有良好的绝缘隔离作用，有效缓解了势垒边缘电场集中的问题，明显提高了防止击穿漏电的能力，显著提高了器件的实际击穿电压，避免因为局部电场过高引起的器件击穿问题，增强器件的击穿性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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