[发明专利]一种Micro-LED器件的制备方法及Micro-LED器件在审
| 申请号： | 202010542773.8 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697113A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;蒋府龙;刘亚莹;李四龙;吴国才 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/02;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种Micro‑LED器件的制备方法及Micro‑LED器件，其中制备方法包括：形成外延层，外延层包括设置在衬底上的第一N型半导体层、第二N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电流扩展层；通过等离子体对外延层进行处理；形成同族界面层，同族界面层覆盖第二N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电流扩展层的侧表面，以及电流扩展层和第一N型半导体层上表面的非电极区域；形成电极，电极覆盖电流扩展层和第一N型半导体层上表面的电极区域。本发明实施例提供的技术方案降低了侧壁表面态的形成，降低了器件表面缺陷密度，从而提高了器件发光效率，保证了器件工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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