[发明专利]有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法在审
申请号: | 202010543103.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111718717A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 戈士勇;何珂;陆水忠 | 申请(专利权)人: | 江苏中德电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 | 代理人: | 曹键 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法,包括步骤一、将氟化氢气体通入纯水,纯水喷淋吸收,产生氢氟酸溶液,之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物Ⅰ;步骤二、在混合物Ⅰ中通入氨气,喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液,制得混合物Ⅱ;步骤三、将混合物Ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋,待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀,之后加入添加剂,添加之后过滤。本申请的制备方法可以通过调节氟化氢和氨气的比例,直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液,整个过程可以连续生产大大提高了生产效率,降低了能耗的同时,提升了环保。本申请的氧化层缓冲蚀刻液纯度高,粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光 二极 体用 氧化 缓冲 蚀刻 制备 方法 | ||
【主权项】:
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