[发明专利]有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010543103.8 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111718717A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 戈士勇;何珂;陆水忠 申请(专利权)人: 江苏中德电子材料科技有限公司
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 代理人: 曹键
地址: 214400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例公开了有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法,包括步骤一、将氟化氢气体通入纯水,纯水喷淋吸收,产生氢氟酸溶液,之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物Ⅰ;步骤二、在混合物Ⅰ中通入氨气,喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液,制得混合物Ⅱ;步骤三、将混合物Ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋,待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀,之后加入添加剂,添加之后过滤。本申请的制备方法可以通过调节氟化氢和氨气的比例,直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液,整个过程可以连续生产大大提高了生产效率,降低了能耗的同时,提升了环保。本申请的氧化层缓冲蚀刻液纯度高,粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。
搜索关键词: 有源 矩阵 有机 发光 二极 体用 氧化 缓冲 蚀刻 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中德电子材料科技有限公司,未经江苏中德电子材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010543103.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top